Côté, Dominique (1985). Épitaxie de GaAs par transport réactif à courte distance. Mémoire. Québec, Université du Québec, Institut national de la recherche scientifique, Maitrise en sciences de l'énergie et des matériaux, 93 p.
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Des couches minces de GaAs monocristallin ont été déposées sur des substrats de GaAs semi-isolant (100), par la technique du transport réactif à courte distance. L'épitaxie a été confirmée par la diffraction aux rayons X et par l'observation au microscope électronique à balayage de l'orientation des dislocations. L'effet du débit d'hydrogène, de la tension de vapeur d'eau, de la distance entre la source et le substrat et de la température sur le taux de croissance, un modèle de transport limité par le déplacement des constantes d'équilibre a été développé. Des mesures de l'effet Hall ont été faites sur les dépôts épitaxiques. Elles montrent que peu importe la source utilisée ou (GaAs semi-isolant, de type-n ou de type-p), le GaAs obtenu par TRCD est toujours de type-n. La difficulté dans le contrôle du dopage vient entre autres de la stœchiométrie dans le réseau de GaAs, puisque les dépôts de GaAs sont toujours réalisés en présence d'excès d'arsenic. La technique de TRCD sera donc aussi valable que les autres techniques d'épitaxie lorsqu'on saura maitriser le dopage. Par rapport aux autres techniques d'épitaxie, la technique de TRCD a l'avantage d'utiliser un équipement relativement peu coûteux. Les résultats obtenus en laboratoire devraient pouvoir se transposer aisément en milieu industriel, puisque les dépositions ne sont contrôlées que par le gradient de température entre la source et le substrat.
| Type de document: | Thèse Mémoire |
|---|---|
| Directeur de mémoire/thèse: | Dodelet, Jean-Pol |
| Informations complémentaires: | EMT-M-151 |
| Mots-clés libres: | Arséniure de gallium |
| Centre: | Centre Énergie Matériaux Télécommunications |
| Date de dépôt: | 23 juill. 2026 12:57 |
| Dernière modification: | 29 juill. 2026 14:15 |
| URI: | https://espace.inrs.ca/id/eprint/17543 |
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